Алюминий Нитрид Ачулы ALN Алюминий
Продукцияне презентацияләү
AlN алуминаның җылылык кимүе яки алуминаның туры нитриды белән синтезланган.Аның тыгызлыгы 3,26, MarkMonitor-3 белән теркәлгән һәм сакланган, эрмәсә дә, атмосферада 2500 ° C тан артык бозыла.Материал ковалент белән бәйләнгән һәм сыеклык ясаучы өстәмә ярдәмендә синтерингка каршы.Гадәттә, Y 2 O 3 яки CaO кебек оксидлар 1600 - 1900 ° C температурада синтерингка ирешергә мөмкинлек бирә.
Алюминий нитриды - керамик материал, искиткеч комплекслы эш, һәм аның тикшеренүләрен йөз елдан артык элек күзәтеп була.Ул Ф.Биргелер һәм А.Гюхтердан тора, 1862-нче елда, һәм 1877-нче елда JW MalletS Алюминий нитриды беренче тапкыр синтезланган, ләкин бу химик ашлама буларак 100 елдан артык кулланылмаган. .
Алюминий нитрид ковалент кушылмасы булганлыктан, кечкенә диффузия коэффициенты һәм эретү ноктасы булганлыктан, синтерлау кыен.1950-нче елларга кадәр алюминий нитрид керамикасы беренче тапкыр уңышлы җитештерелә һәм саф тимер, алюминий һәм алюминий эретмәсе эретүдә отрядлы материал буларак кулланыла.Тикшеренүләрнең тирәнәюе белән 1970-нче еллардан алюминий нитридын әзерләү процессы көннән-көн җитлеккән, куллану күләме киңәя бара.Бигрәк тә XXI гасырга кергәннән бирле, микроэлектроника технологиясе, электрон машина һәм электрон компонентлар миниатюризациягә, җиңел, интеграциягә, һәм югары ышанычлылык һәм югары энергия чыгару юнәлешенә, субстратның катлаулырак җайланмалары һәм җылылык тарату материаллары. югары таләпләрне алга җибәрү, алюминий нитрид сәнәгатенең алга таба үсешенә ярдәм итү.
Төп үзенчәлекләр
AlN күпчелек эретелгән металлларның эрозиясенә каршы торыгыз, аеруча алюминий, литий һәм бакыр
Ул эретелгән тозның күпчелек эрозиясенә каршы тора, шул исәптән хлоридлар һәм криолит
Керамик материалларның югары җылылык үткәрүчәнлеге (бериллий оксидыннан соң)
Volumeгары күләмле каршылык
Dieгары диэлектрик көч
Ул кислота һәм алкалы белән эри
Порошок формасында ул су яки дым дымы белән җиңел гидролизацияләнә
Төп кушымта
1, пиезоэлектрик җайланма кушымтасы
Алюминий нитридның югары каршылыгы, югары җылылык үткәрүчәнлеге (Al2O3ның 8-10 тапкыр), һәм кремнийга охшаган түбән киңәю коэффициенты, ул югары температура һәм югары көчле электрон җайланмалар өчен идеаль материал.
2, электрон төрү субстрат материалы
Гадәттә кулланыла торган керамик субстрат материаллар - берилли оксиды, алумина, алюминий нитрид һ.б., анда алумина керамик субстратының җылылык үткәрүчәнлеге түбән, җылылык киңәю коэффициенты кремнийга туры килми;бериллий оксиды искиткеч үзенчәлекләргә ия булса да, аның порошогы бик агулы.
Субстрат материаллар буларак кулланыла ала торган керамик материаллар арасында кремний нитрид керамикасы иң югары бөкләнү көченә, яхшы киемгә каршы торуга ия, иң яхшы комплекслы механик күрсәткечле керамик материал, һәм иң кечкенә җылылык киңәйтү коэффициенты.Алюминий нитрид керамикасы югары җылылык үткәрүчәнлегенә, яхшы җылылык тәэсиренә каршы, һәм югары температурада яхшы механик үзлекләргә ия.Эшчәнлек ягыннан алюминий нитрид һәм кремний нитриды хәзерге вакытта электрон упаковка субстратлары өчен иң кулай материал булып тора, ләкин аларның уртак проблемасы - бәянең артык югары булуы.
3, һәм люминесцент материалларга кулланыла
Алюминий нитридның (AlN) туры тасма капкасының максималь киңлеге - 6,2 eV, ул турыдан-туры полоса ярымүткәргеч белән чагыштырганда югары фотоэлектрик конверсия эффективлыгына ия.AlN мөһим зәңгәр яктылык һәм UV яктылык җибәрүче материал буларак, ул UV / тирән UV яктылык җибәрүче диодка, UV лазер диодына һәм UV детекторына кулланыла.Моннан тыш, AlN GaN һәм InN кебек III группа нитридлары белән өзлексез каты чишелешләр формалаштыра ала, һәм аның өчьяклы яки дүртенче эретмәсе үз полосасы аермасын күренеп торган тирән ультрафиолет полосаларына кадәр көйли ала, һәм бу мөһим югары җитештерүчән люминесцент материал булып тора.
4, субстрат материалларга кулланыла
AlN кристаллары GaN, AlGaN, шулай ук AlN эпитаксиаль материаллар өчен идеаль субстрат.Сапфир яки SiC субстратлары белән чагыштырганда, AlN GaN белән күбрәк җылылык матчына ия, химик яраклашуга ия, субстрат һәм эпитаксиаль катлам арасында стресс азрак.Шуңа күрә, AlN кристалл GaN эпитаксиаль субстрат буларак кулланылганда, ул җайланмадагы җитешсезлек тыгызлыгын киметә, җайланманың эшләвен яхшырта ала, һәм югары температура, югары ешлык һәм югары көчле электрон әзерләүдә яхшы куллану перспективасына ия. җайланмалар.
Моннан тыш, югары алюминий (Al) компоненты буларак AlN кристалллы AlGaN эпитаксиаль материал субстраты шулай ук нитрид эпитаксиаль катламдагы җитешсезлек тыгызлыгын эффектив рәвештә киметә ала, һәм нитрид ярымүткәргеч җайланмасының эшләвен һәм хезмәт итү вакытын сизелерлек яхшырта ала.AlGaN нигезендә югары сыйфатлы көндәлек сукыр детекторлар уңышлы кулланылды.
5, керамика һәм отряд материалларында кулланыла
Алюминий нитрид структур керамиканы синтерингка кулланырга мөмкин, әзерләнгән алюминий нитрид керамикасы, яхшы механик үзлекләр генә түгел, катлау көче Al2O3 һәм BeO керамикасыннан югарырак, каты, шулай ук югары температура һәм коррозиягә каршы тору.AlN керамик җылылыкка һәм коррозиягә каршы торуны кулланып, ул югары температураның коррозиягә чыдам өлешләрен ясарга мөмкин, мәсәлән, мөһим һәм Al парга әйләнү тәлинкәсе.Моннан тыш, саф AlN керамикасы төссез үтә күренмәле кристалллар, искиткеч оптик үзлекләргә ия, һәм электрон оптик җайланмалар җитештерүче ачык керамика өчен югары температуралы инфракызыл тәрәзә һәм җылылыкка чыдам каплау рәвешендә кулланылырга мөмкин.
6. Композитлар
Эпокси резин / AlN композицион материал, төрү материалы буларак, яхшы җылылык үткәрүчәнлеген һәм җылылык тарату сәләтен таләп итә, һәм бу таләп көннән-көн катгыйлана.Яхшы химик үзлекләре һәм механик тотрыклылыгы булган полимер материал буларак, эпокси резинаны дәвалау җиңел, кысылу дәрәҗәсе түбән, ләкин җылылык үткәрүчәнлеге югары түгел.Эпокси резинасына искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге булган AlN нанопартикларын кушып, җылылык үткәрүчәнлеге һәм көче эффектив рәвештә яхшырырга мөмкин.
