Кушма ярымүткәргеч кристалларының үсеше
Катлаулы ярымүткәргеч икенче буын ярымүткәргеч материаллары белән билгеле, беренче буын ярымүткәргеч материаллары белән чагыштырганда, оптик күчү, югары электрон туендыру тизлеге һәм югары температурага каршы тору, нурланышка каршы тору һәм башка характеристикалар, ультра югары тизлектә, ультра югары ешлык, түбән көч, аз тавышлы меңнәр һәм схемалар, аеруча оптоэлектрон җайланмалар һәм фотоэлектр саклагычның уникаль өстенлекләре бар, аларның иң вәкиле GaAs һәм InP.
Кушма ярымүткәргеч бер кристаллларның үсеше (мәсәлән, GaAs, InP һ.б.) бик каты мохит таләп итә, шул исәптән температура, чимал чисталыгы һәм үсеш корабының чисталыгы.ПБН хәзерге вакытта катнаш ярымүткәргеч бер кристалл үсеше өчен идеаль кораб.Хәзерге вакытта, ярымүткәргечнең бер кристалл үсеш ысулларына, нигездә, Boyu VGF һәм LEC серияләренең мөһим продуктларына туры килгән сыек мөһернең туры тарту ысулы (LEC) һәм вертикаль градиентны ныгыту ысулы (VGF) керә.
Поликристалл синтез процессында, элементлы галийны тоту өчен кулланылган контейнер деформациядән һәм югары температурада яраксыз булырга тиеш, контейнерның югары чисталыгын, пычраклыклар кертелмәвен һәм озак хезмәт итүен таләп итә.ПБН югарыдагы таләпләрнең барысын да үти ала һәм поликристалл синтез өчен идеаль реакция корабы.Boyu PBN көймә сериясе бу технологиядә киң кулланылган.
